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上升区：当过电压很大，使得通过压敏电阻器的电流大于约100A/cm2时，压敏电阻器的伏安特性主要由晶粒电阻的伏安特性来决定。此时压敏电阻器的伏安特性呈线性电导特性，即：I=V/Rg 上升区电流与电压几乎呈线性关系，压敏电阻器在该区域已经劣化，

失去了其抑制过电压、吸收或释放浪涌的能量等特性。根据压敏电阻器的导电机理，其对过电压的响应速度很快，如带引线式和专用电极产品，一般响应时间小于25纳秒。因此只要选择和使用得当，压敏电阻器对线路中出现的瞬态过电压有优良的抑制作用，从而达到保护电路中其它元件免遭过电压破坏的目的。

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ZnO压敏电阻的缺陷除ZnO的本征缺陷外，杂质元素的添加是影响其压敏性能的极其重要的因素。国内外研究人员进行了大量研究工作，取得了大量的成果。晶体中杂质的进入或缺陷的存在，将破坏部分正常晶格的平移对称性，产生以杂质离子或缺陷为中心的局域振动模式，从而形成新的能级，这些新的能级一般位于禁带之内，具有积累非平衡载流子(电子或空穴)的作用，这就是所谓的陷阱效应，一般把具有显著陷阱效应的杂质或缺陷能级称为陷阱，相应的杂质或缺陷成为陷阱中心。电子陷阱是指一类具有相变特征的受主粒子(Mn、Cu、Bi、Fe、Co等)对电子形成的一种束缚或禁锢状态。从晶体能带理论来解释,它是指由于各种原因使得晶粒中的导带弯曲或不连续，从而在导带中形成的势阱；从晶体结构来看，电子陷阱是指某些晶格点或晶体具有结构缺陷，这种缺陷通常带

有一定量的正电荷，因而能够束缚自由电子，正如一般电子为原子所束缚的情况，电子陷阱束缚的电子也具有确定的能级。

ZnO作为一种宽禁带的半导体材料,具有本征电导特征。这一本征施主特性使得ZnO粉料能与多种具有相变特征的受主元素在微观结构中形成电子陷阱。被电子陷阱俘获的电子在外界电、磁、光、热等物理量作用下，可脱离陷阱束缚，产生各种丰富的物理效应，在电场下的V-I非线性就是压敏性能的表现。

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